|
|
Semiconductor diagnostics and monitoring of chemical reactions by SIMS method
Janák, Marcel ; Skladaný, Roman (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
Time-of-flight secondary ion mass spectrometry (TOF-SIMS) is a powerful surface science technique with high sensitivity for elemental composition. This work demonstrates TOF-SIMS abilities in three different research areas. The first part deals with the localization of high voltage dies defects, which is necessary for their further characterization by the TOF-SIMS method. For this purpose, an experimental setup with control software allowing automated measurement of leakage current tests at various die locations was proposed. The second part deals with the quantification of Mg dopant depth profiles in various AlGaN samples. The quantification is based on the RSF method and allows the characterization of doped AlGaN heterostructures for high electron mobility transistors (HEMT) or various optoelectronic devices. A set of 12 Mg doped AlGaN calibration samples for quantification of depth profiles was prepared by the ion implantation technique. The last part demonstrates the abilities of the static TOF-SIMS method in heterogeneous catalysis research. Our primary research objective is the dynamics of catalytic carbon monoxide oxidation to carbon dioxide on platinum polycrystalline microstructures at high vacuum pressures. In this work, we present the first real-time observations of spatiotemporal patterns of varying surface coverages during distinct catalyst regimes. TOF-SIMS observations were correlated with analogous scanning electron microscopy (SEM) observations of gas-phase- and temperature-induced processes on Pt surfaces.
|
|
|
Calibration of SIMS method by implantation profiles
Janák, Marcel ; Průša, Stanislav (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
This bachelor thesis is concerned with a quantitative analysis of the dopant (C, H, Mg, O) distribution in MOCVD-grown AlGaN HEMTs by TOF.SIMS 5 instrument with cesium and oxygen sputtering. The main reason for the development of RSF SIMS measurement quantification method is a hardly predictable phenomenon of preferential sputtering and matrix effect. Calibration samples, prepared by ion implantation technique into homogeneous and periodic III-nitride AlN, GaN structures, are reproduced by an ion-atom interaction program TRIM. A part of this work is likewise a quantification of AlGaN matrix.
|
|
|
Metody povlakování řezných nástrojů
Novotný, Michal ; Dvořák, Jaromír (oponent) ; Humár, Anton (vedoucí práce)
Bakalářská práce Metody povlakování řezných nástrojů popisuje způsoby nanášení tvrdých otěruvzdorných povlaků fyzikálními a chemickými metodami. Součástí práce je rozdělení materiálů pro řezné nástroje, popis výroby vyměnitelných břitových destiček ze slinutých karbidů, základní druhy vrstev povlaků a porovnání sortimentu povlakovaných slinutých karbidů vybraných výrobců. V závěru této práce jsou nastíněny některé vývojové trendy v oblasti nanášení tenkých vrstev povlaků.
|
|
|
Návrh softwarové aplikace pro modelování koncentračních profilů při procesu iontové implantace a termické difuze
Nespěchal, Marek ; Vaněk, Jiří (oponent) ; Chladil, Ladislav (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá návrhem a realizací aplikace CPCalc sloužící pro vizualizaci koncentračních profilů při procesu termické difuze a iontové implantace. Aplikace je navržena s ohledem na její plánované využití při laboratorní výuce materiálově zaměřených předmětů na Ústavu elektrotechnologie. Teoretická část předkládané práce shrnuje technologický proces výroby polovodičů a v detailu se věnuje technologickým procesům pro dotování polovodičů – difuzi a iontové implantaci. V práci je představeno základní fungování a jednotlivé bloky aplikace CPCalc, která je vyvíjena v programovacím jazyce Python v kombinaci s knihovnou Tkinter, jejichž stručná charakterizace je v tomto textu rovněž obsažena.
|
|
|
Semiconductor diagnostics and monitoring of chemical reactions by SIMS method
Janák, Marcel ; Skladaný, Roman (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
Time-of-flight secondary ion mass spectrometry (TOF-SIMS) is a powerful surface science technique with high sensitivity for elemental composition. This work demonstrates TOF-SIMS abilities in three different research areas. The first part deals with the localization of high voltage dies defects, which is necessary for their further characterization by the TOF-SIMS method. For this purpose, an experimental setup with control software allowing automated measurement of leakage current tests at various die locations was proposed. The second part deals with the quantification of Mg dopant depth profiles in various AlGaN samples. The quantification is based on the RSF method and allows the characterization of doped AlGaN heterostructures for high electron mobility transistors (HEMT) or various optoelectronic devices. A set of 12 Mg doped AlGaN calibration samples for quantification of depth profiles was prepared by the ion implantation technique. The last part demonstrates the abilities of the static TOF-SIMS method in heterogeneous catalysis research. Our primary research objective is the dynamics of catalytic carbon monoxide oxidation to carbon dioxide on platinum polycrystalline microstructures at high vacuum pressures. In this work, we present the first real-time observations of spatiotemporal patterns of varying surface coverages during distinct catalyst regimes. TOF-SIMS observations were correlated with analogous scanning electron microscopy (SEM) observations of gas-phase- and temperature-induced processes on Pt surfaces.
|
|
|
Calibration of SIMS method by implantation profiles
Janák, Marcel ; Průša, Stanislav (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
This bachelor thesis is concerned with a quantitative analysis of the dopant (C, H, Mg, O) distribution in MOCVD-grown AlGaN HEMTs by TOF.SIMS 5 instrument with cesium and oxygen sputtering. The main reason for the development of RSF SIMS measurement quantification method is a hardly predictable phenomenon of preferential sputtering and matrix effect. Calibration samples, prepared by ion implantation technique into homogeneous and periodic III-nitride AlN, GaN structures, are reproduced by an ion-atom interaction program TRIM. A part of this work is likewise a quantification of AlGaN matrix.
|
|
|
Magnetic nanostructures for recording and optical sensors
Lišková, Eva ; Višňovský, Štefan (vedoucí práce) ; Maryško, Miroslav (oponent) ; Postava, Kamil (oponent)
Název práce: Magnetické nanoštruktúry pre optický záznam a senzory Autor: Eva Lišková Katedra ( Ústav): Fyzikální ústav Univerzity Karlovy Vedoucí disertační práce: Prof. Ing. Štefan Višňovský, DrSc. Abstrakt: Multivrstevnaté nanoštruktúry so zosilneným magneto-optickým (MO) efek- tom boli skúmané metódou MO polárnej a longitudinálnej spektroskopie pri rôznych uhloch dopadu v rozmedzí energií od 1.2eV do 5eV. Pomocov Yehovho formalizmu boli spočítané MO odozvy pre štruktúry využívajúce Fabry-Protov rezonančný jav na zosilne- nie MO efektu. Dve sady vzoriek, FeF2/Fe/FeF2 a AlN/Fe/AlN, boli pripravné metódou molekulárnej epitaxie a naprašovaním a pomocou MO spektroskopie bol zisťovaný vzájomný vzťah medzi pozíciou maxima v MO spektre a štruktúrou vzorky. Druhá časť disertačnej práce sa zaoberala vplyvom iontovej implantácie na MO spektra pre vzorky Pt/Co/Pt. Tu dochádza k zosilneniu MO efektu vďaka vrstve CoPt zliatiny tvoriacej sa na Co-Pt rozhraniach. Študované nanovrstvy predstavujú sľubné štruktúry pre MO záznam a sen- zory. Klíčová slova: Kerrov magnetooptický jav, Magneto-optický senzor, Fabry-Perotov re- zonátor, iontová implantácia
|
|
|
Modifikace materiálů pro optiku, elektroniku a spintroniku iontovým svazkem – iontová implantace pomocí urychlovačů nebo laserem indukovaného plazmatu
Macková, Anna
Ion beam modification offers a broad field of the creating the new functional materials and nano-structures for optics, electronics, spintronics and other material branches. Using ions produced by ion accelerators or implanters\nmeans the usage of the monoenergetic beams for precise doped layer, nano-particles or cluster creation by varying the ion implantation specie versus matrix combination together with the implantation energy, ion flux etc. Recently\nappears the multienergetic ion implantation which is realized by using of the intense laser shot generating plasma from the specially designed targets, where the ions are accelerated and can be then implanted into the various\nmaterials. This contribution will present an overview and comparison of different ion beam modification techniques, plasma ion implantation will be also mentioned.
|
|
|
Metody povlakování řezných nástrojů
Novotný, Michal ; Dvořák, Jaromír (oponent) ; Humár, Anton (vedoucí práce)
Bakalářská práce Metody povlakování řezných nástrojů popisuje způsoby nanášení tvrdých otěruvzdorných povlaků fyzikálními a chemickými metodami. Součástí práce je rozdělení materiálů pro řezné nástroje, popis výroby vyměnitelných břitových destiček ze slinutých karbidů, základní druhy vrstev povlaků a porovnání sortimentu povlakovaných slinutých karbidů vybraných výrobců. V závěru této práce jsou nastíněny některé vývojové trendy v oblasti nanášení tenkých vrstev povlaků.
|
host ::
RSS.